窒化ガリウム半導体素子

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006001122
Publication number (International publication number)：2006191118
Application date： Jan. 06, 2006
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：

【課題】高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。【解決手段】1〜6μmの厚さを有するn+型ドープしたGaNダイオードから製造した窒化ガリウムベースの半導体ショットキー・ダイオードをサファイア基板の上に配設する。1μmを超える厚さを有するn-型ドープしたGaNダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記n+型ドープGaNダイオード上に配設し、金属層をn-型ドープGaN層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が500Vを超え、電流容量が1アンペアを超え、かつ順方向電圧が3V未満である素子を得るように最適化される。【選択図】図1B

Claim (excerpt)：

窒化ガリウムベースの半導体ダイオードであって、基板と、前記基板の上に配設された1〜6μmの厚さを有するn+型ドープGaN層と、前記n+型ドープGaN層上に配設された1μmを超える厚さを有するn-型ドープGaN層と、前記n-型ドープGaN層の上に配設され、かつそれとのショットキー接合を形成する金属層とを含んだ窒化ガリウムベースの半導体ダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (2)：

H01L29/48 D , H01L29/48 M

F-Term (18)：

4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104CC03 , 4M104EE01 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104FF36 , 4M104GG03 , 4M104GG18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

米国特許出願PACKAGE FOR GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES
米国特許出願第2003/0062525号
米国特許第34861号

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Cited by examiner (1)

GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-013740 Applicant：古河電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

High-voltage mesa-structure GaN Schottky rectifiers processed by dry and wet etching

Cited by examiner (1)

High-voltage mesa-structure GaN Schottky rectifiers processed by dry and wet etching

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