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J-GLOBAL ID：200903096221412209

半導体のエッチングマスクとその製造方法及び半導体の加工方法と半導体レーザの製造方法

Inventor： 吉井 重雄 ,  大川 和宏 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994283794
Publication number (International publication number)：1996148479
Application date： Nov. 17, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 II-VI 族化合物半導体の表面に形成されたエッチングマスクを、金属薄膜と、前記半導体と前記金属薄膜の間に設けられたII-VI 族化合物半導体と金属の合金層から構成することにより、耐エッチング性、および基板に対する密着性の良好なエッチングマスクとする。【構成】 GaAs基板2上のZnSe系半導体積層膜3の上部にに金属薄膜5を形成し、210°Cで3分間の熱処理を行い合金層4を形成する。パターニングしたフォトレジストを形成した後、ヨウ素・ヨウ化カリウムの混合溶液により金属薄膜を、また、重クロム酸カリウム、硝酸および、硫酸の混合溶液を用いて合金層を除去し、さらに重クロム酸カリウムの飽和溶液と硫酸の混合溶液で半導体積層膜3をエッチングすることにより、再現性良く精密かつ微細な半導体の加工ができる。

Claim (excerpt)：

II-VI 族化合物からなる半導体の表面に形成されたエッチングマスクであって、前記エッチングマスクは、金属薄膜と、前記半導体と前記金属薄膜の間に設けられたII-VI 族化合物半導体と金属の合金層から構成されることを特徴とする半導体のエッチングマスク。

IPC (2)：

H01L 21/308 ,  H01S 3/18