半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997316089
Publication number (International publication number)：1999135506
Application date： Oct. 31, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】組み立て工程でのボンディング性の良い半導体装置を、段差被覆性と平坦性に優れる溝配線法(ダマシン法)による銅配線を用いて形成する半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】配線金属として銅配線を用いた半導体装置において、銅配線を溝配線法(ダマシン法)によって形成し、半導体装置の絶縁保護膜を被着しボンディングパッド部を開口した後、Al系膜を被着しリソグラフィー工程とエッチング工程によりボンディングパッド部にAl系膜を残す。

Claim (excerpt)：

配線金属として銅配線を用いた半導体装置の製造方法において、(a)銅配線を溝配線法(ダマシン法)によって形成し、(b)絶縁保護膜を被着し、ボンディングパッド部を開口し、(c)Al系膜を被着し、リソグラフィー工程とエッチング工程により前記ボンディングパッド部にAl系膜を残す、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/60 301 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/88 M , H01L 21/60 301 N , H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

配線接続部及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-211311 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-271107 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-188136 Applicant：日本電信電話株式会社

Return to Previous Page