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J-GLOBAL ID：200903096222325970
ドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991155764
Publication number (International publication number)：1993182929
Application date： May. 30, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は半導体装置の製造分野で行われる多層レジスト層及び層間絶縁膜の、異方性形状の達成、下地材料に起因する再付着の防止等を可能とするドライエッチング方法に関する。【構成】ウェハステージ4の昇降機構とステージ4に印加するRF電力の周波数切り換え機構6とを併せ持つバイアス印加型有磁場マイクロ波プラズマエッチング装置11を使用して、ジャストエッチまではプラズマ引出し窓12の下流にウェハステージ4を位置させて被エッチング物5をプラズマ放電領域から遠ざけて、ステージ4に800KHzの低周波数のRFバイアスを印加することによってイオン主体のエッチングを行い、その後オーバーエッチ時にはウェハステージ4を上昇させてプラズマ放電領域内に被エッチング物5を設置してステージ4に13.56MHzの高周波数のRFバイアスを印加することによってラジカル主体エッチングを行う。
Claim (excerpt)：
多層レジスト層のパターニングを行う多層レジスト層のドライエッチング方法において、ウェハステージの昇降機構とステージに印加するRF電力の周波数切り換え機構とを併せ持つバイアス印加型有磁場マイクロ波プラズマエッチング装置を使用して、ジャストエッチまではプラズマ下流にウェハを設置してステージに低周波数のRFバイアスを印加することによってイオン主体のエッチングを行い、オーバーエッチ時にはプラズマ放電領域内にウェハを設置してステージに高周波数のRFバイアスを印加することによってラジカル主体エッチングを行うことを特徴とする多層レジスト層のドライエッチング方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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