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J-GLOBAL ID：200903096223469453

半導体装置用基板及びその製造方法

Inventor： 後藤 裕史 ,  福本 吉人 ,  横田 嘉宏 ,  鈴木 康平
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000297318
Publication number (International publication number)：2002110490
Application date： Sep. 28, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ウェハの分割を容易にして製造コストを低減することができる半導体装置用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハ1上に酸化膜2を形成する。次に、酸化膜2上にレジストを塗布し、このレジストを所望の複数の埋め込み孔の形状にパターニングした後、バッファードフッ酸を使用して酸化膜2をエッチングする。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液を使用してシリコンウェハ1をウェットエッチングすることにより、深さが250μmの正方形状の埋め込み孔5を形成する。その後、全面の酸化膜2をバッファードフッ酸を使用してエッチングし、埋め込み孔5の底部にスピンオングラス剤を塗布することにより、酸化ケイ素薄膜としてSOG膜3を形成する。次に、厚さが250±10μmであるダイヤモンド基板4をSOG膜3上に載置し、これらにクリーンオーブン中で3段階の熱処理を施す。

Claim (excerpt)：

第1の基板と、この第1の基板上に形成され酸化ケイ素からなる接着層と、この接着層により前記第1の基板に貼り付けられた複数個の第2の基板と、を有することを特徴とする半導体装置用基板。