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J-GLOBAL ID：200903096233225005

半導体素子の製造方法

Inventor： 三谷 康弘 ,  野村 克己
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994137418
Publication number (International publication number)：1996008179
Application date： Jun. 20, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 アニール処理を施した半導体層において、長尺ビームの走査方向に照射エネルギーのバラツキが生じても、TFT特性の不良が特定のゲートバス配線あるいは特定のソースバス配線に沿って集中するのを回避することができ、これにより上記アニール処理を施した半導体層を用いた高解像度の液晶パネルやイメージセンサなどにおいて、画像表示や読み取りをする上での不具合を解消できる半導体素子の製造方法を得る。【構成】 基板1上の半導体層2を長尺ビームの照射によりアニールする際、該長尺ビームを、基板完成時のマトリクス配線の配置領域18a,18bに平行な方向及び垂直な方向以外の方向に走査する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成した多結晶または非晶質の半導体層をエネルギービームの照射によりアニールして、より大粒径の多結晶あるいは単結晶の半導体層を形成する工程と、該アニール処理を施した半導体層に所望の素子を複数形成する工程とを含み、該アニール処理は、長尺のビーム形状を有するエネルギービームを、該半導体層に形成される素子の配列方向に対して平行な方向及び垂直な方向以外の方向に走査して行う半導体素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336