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J-GLOBAL ID:200903096243004368
磁気記録媒体及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小池 晃 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994267876
Publication number (International publication number):1996129747
Application date: Oct. 31, 1994
Publication date: May. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】 薄い膜厚でも十分な耐久性を確保できる保護膜を形成する。【構成】 真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜が形成された非磁性支持体1上にDLC膜を保護膜として形成する際に、反応管6(又は反応室)内部の一部を二室6a,6b以上に間仕切りし、これら間仕切りされた室6a,6b内にそれぞれ炭化水素ガス、フッ化炭素ガスを導入して、上記強磁性金属薄膜近傍部に水素を多く含有するDLC膜が形成され、表面近傍にフッ素を多く含有するDLC膜が形成されるようにする。
Claim (excerpt):
非磁性支持体上に真空薄膜形成技術により形成された強磁性金属薄膜上にダイヤモンド状硬質炭素膜が形成されてなる磁気記録媒体において、上記強磁性金属薄膜近傍部に水素を多く含有するダイヤモンド状硬質炭素膜が形成され、表面近傍にフッ素を多く含有するダイヤモンド状硬質炭素膜が形成されてなる構造を有することを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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磁気記録媒体とその製造方法及び磁気記録装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-305185
Applicant:株式会社日立製作所
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磁気記録媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-314400
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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特開平4-198480
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磁気記録媒体、およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-218821
Applicant:株式会社日立製作所
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磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法及びプラズマCVD成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-262177
Applicant:松下電器産業株式会社
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磁気記録媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-260198
Applicant:松下電器産業株式会社
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