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J-GLOBAL ID：200903096251290752

半導体ウェーハの製造方法

Inventor：
横川 功

About 横川 功

, 
能登 宣彦

About 能登 宣彦


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004305637
Publication number (International publication number)：2006120782
Application date： Oct. 20, 2004
Publication date： May. 11, 2006
Summary：
【課題】格子緩和が十分に行なわれ、表面の面粗れが抑制され、かつ結晶性のよいSiGe層を有する半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長させ、該SiGe層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記SiGe層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離を行い、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のSi層を除去することによりSiGe層を露出させ、その後、該露出したSiGe層に対して、酸化性雰囲気下でGeを濃縮する熱処理及び/又は非酸化性雰囲気下で格子歪みを緩和させる熱処理を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長させ、該SiGe層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記SiGe層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離を行い、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のSi層を除去することによりSiGe層を露出させ、その後、該露出したSiGe層に対して、酸化性雰囲気下でGeを濃縮する熱処理及び/又は非酸化性雰囲気下で格子歪みを緩和させる熱処理を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (3)：
H01L21/20 ,  H01L21/02 B ,  H01L27/12 B
F-Term (5)：
5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05 ,  5F052KB05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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