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J-GLOBAL ID：200903096262119389
X線照射装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333868
Publication number (International publication number)：1995190962
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 X線照射装置に関し、出射するX線を広域化、平行・単色化し、半導体表面不純物分析用の全反射蛍光X線分析装置、シリコンウエハの結晶欠陥評価用X線装置、表面粗さ分析用X線装置等に利用可能とする。【構成】 放物面状、回転放物面状に湾曲したグラファィト結晶の湾曲面、円状に湾曲したグラファィト結晶の凸面、球面状に湾曲したグラファィト結晶の凸面、または非対称カットされたグラファイト積層面を反射面として利用するX線照射装置であり、出射するX線が広域化、平行・単色化される。
Claim (excerpt)：
放物面状、または回転放物面状に湾曲したグラファィト結晶の湾曲面を反射面として利用するX線照射装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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