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J-GLOBAL ID：200903096262802836
半導体ウエハの使用方法及び半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993223774
Publication number (International publication number)：1995057980
Application date： Aug. 17, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウエハを使用しての半導体装置の製造の際に、半導体素子を形成しない保持面でのパーティクルの発生や付着を大幅に減少させる。【構成】 両面が共に同様に鏡面仕上げされている両面鏡面研磨ウエハ1を使用し、特に表面1aにのみ半導体素子を形成し、裏面1bは半導体素子を形成せずに保持面とする。例えばウエハ露光において、ウエハ1の裏面1bをハンドリング装置21により保持し、ウエハキャリア31と露光装置41のウエハチャック48との間で移送する。裏面1bが鏡面仕上げされているので、ハンドリング装置21及びウエハチャック48やウエハ1の裏面1bに傷が付かず、これらが削られることによる微細なパーティクルの発生や付着が大幅に減少する。【効果】 半導体素子を形成する表面1aへのパーティクルの付着が極力防止され、製造される半導体装置の歩留り及び信頼性が著しく向上する。
Claim (excerpt)：
半導体素子を形成する一方の面が鏡面仕上げされていると共に半導体素子を形成しない他方の面も前記一方の面とほぼ同様に鏡面仕上げされている両面鏡面研磨ウエハを使用することを特徴とする半導体ウエハの使用方法。
IPC (2)：
H01L 21/02
, G03F 7/20 521
