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J-GLOBAL ID：200903096264723178

多電極分布帰還型半導体レーザ

Inventor： 山中 孝之 ,  横山 清行 ,  関 俊司
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991204608
Publication number (International publication number)：1993029709
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 等価屈折率分布の不均一形状分布に起因した波長変動を最小に抑制できる最適電極幅を持つ分布帰還型(DFB)半導体レーザを提供する。【構成】 DFBレーザにおいて、共振器光軸方向に3つに分離された電極1a〜1cを上部電極として構成する。そして、この3電極のうち中央の電極1bは、その電極幅をxとし、両端面間の共振器の長さをLとしたとき、0.75<(x/L)<0.89の関係を満たす電極幅を持つ。これにより、共振器内の均一な屈折率分布を実現でき、発振波長の変動を抑制して、安定な単一モード発振を得ることができる。

Claim (excerpt)：

平行両端面を有する半導体の内部に位相反転部分を有する回折格子を具備した分布帰還型半導体レーザにおいて、共振器光軸方向に3つに分離された電極を持ち、この3つの電極のうち中央の電極は、その電極幅をxとし、前記両端面間の共振器の長さをLとしたとき、0.75<(x/L)<0.89を満たす電極幅を持つことを特徴とする多電極分布帰還型半導体レーザ。