バリアメタル膜の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000392824
Publication number (International publication number)：2002217134
Application date： Dec. 25, 2000
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 SiO2膜が成膜された半導体ウェハ上にW膜を成膜する場合に形成される、Ti膜及びTiN膜からなるバリアメタル膜のバリアメタル膜の密着性を改善するための手段を提供すること。【解決手段】半導体ウェハ1上にTi膜6をプラズマCVD法により成膜し、次いで、処理チャンバ内にNH3ガスを導入し、Ti膜に接触させて表面改質処理を行う。その後、TiN膜7を熱CVD法により成膜することとする。表面改質処理では、Ti膜の膜厚が所定値を越える場合に、NH3ガスの導入量を、Ti膜の膜厚が所定値である場合に導入される量よりも多くすることを特徴とする。これにより、Ti膜表面全域にNH3ガスが十分に接触し、表面改質不良によるバリアメタル膜5の膜剥がれが防止される。

Claim (excerpt)：

シリコン酸化膜が成膜された半導体ウェハ上に金属膜を成膜する場合に、チタン膜及び窒化チタン膜からなる混合膜をバリアメタル膜として形成する方法において、前記チタン膜をプラズマCVD法により成膜する第1ステップと、前記第1ステップの後、前記半導体ウェハが配置された処理チャンバ内にアンモニアガスを導入し、前記チタン膜の表面改質処理を行う第2ステップと、前記第2ステップの後、前記窒化チタン膜を熱CVD法により成膜する第3ステップとを含み、前記チタン膜の膜厚が所定値を越える場合に、前記第2ステップにおける前記アンモニアガスの導入量を、前記チタン膜の膜厚が前記所定値である場合に導入される前記アンモニアガスの導入量よりも多くすることを特徴とするバリアメタル膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/285 301 R , H01L 21/285 C , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/88 R

F-Term (42)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA18 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA15 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD86 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH08 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP01 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033QQ90 , 5F033WW02 , 5F033WW05 , 5F033XX13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-318129 Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-010389 Applicant：日本電気株式会社
埋込みプラグの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-137921 Applicant：ソニー株式会社

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