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J-GLOBAL ID：200903096272262325

半導体露光装置

Inventor： 武田 実
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994006406
Publication number (International publication number)：1995211620
Application date： Jan. 25, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レジスト膜の感度に応じて、露光量を連続的に調節することができる半導体露光装置を提供する。【構成】 第4高調波発生装置112は、レーザ光源からのレーザ光により励起されて基本波のレーザ光を発振し、上記基本波のレーザ光を第1の非線形光学結晶を備える第1の共振器により第2高調波のレーザ光に波長変換し、上記第2高調波のレーザ光を第2の非線形光学結晶を備える第2の共振器により第4高調波のレーザ光に波長変換して出力する。光量制御手段111は、上記レーザ光源の出力を制御して上記第4高調波発生装置112の第4高調波のレーザ光の出力を調節する。上記第4高調波のレーザ光を使用してウェーハ133を露光する。

Claim (excerpt)：

励起用のレーザ光を出射するレーザ光源と、該レーザ光源からのレーザ光により励起されて基本波のレーザ光を発振し、該基本波のレーザ光を第1の非線形光学結晶を備える第1の共振器により第2高調波のレーザ光に波長変換し、該第2高調波のレーザ光を第2の非線形光学結晶を備える第2の共振器により第4高調波のレーザ光に波長変換して出力する光源手段と、上記レーザ光源の出力を制御して上記光源手段の第4高調波のレーザ光の出力を調節する光量制御手段とを有し、該第4高調波のレーザ光によりウェーハを露光することを特徴とする半導体露光装置。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G02F 1/37 ,  G03F 7/20 521 ,  H01S 3/109

FI (2)：

H01L 21/30 515 B ,  H01L 21/30 516 D