Pat

J-GLOBAL ID：200903096277729930

ウエハの表面洗浄方法およびウエハの総合研磨洗浄装置

Inventor： 山下 純一 ,  林 健郎 ,  川副 公之 ,  南 秀旻
Applicant, Patent owner： 株式会社スーパーシリコン研究所
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997153069
Publication number (International publication number)：1998335275
Application date： May. 28, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】 効率良くウエハ基板の高清浄度表面を得るための、専用の研磨パッドを用いたウエハの表面洗浄方法およびウエハの総合研磨洗浄装置の提供を目的とする。【解決手段】 水研磨洗浄工程に、中心部から遠ざかるように伸びる洗浄水が流れる流路を備えた研磨パッドを使用する。

Claim (excerpt)：

ウエハ基板の表面の異物等の除去や微細粗さ向上等を目的とする半導体ウエハの表面洗浄方法であって、前記ウエハ基板の表面に対し、研磨剤を含まない洗浄水のみを供給して研磨する水研磨洗浄工程を有し、この水研磨洗浄工程は、中心部から遠ざかるように伸びる前記洗浄水が流れる流路を備えた研磨パッドを使用することを特徴とするウエハの表面洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 341

FI (4)：

H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 341 B