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J-GLOBAL ID：200903096282029947

半導体装置の製造方法

Inventor： 池田 典弘
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991167119
Publication number (International publication number)：1993013593
Application date： Jul. 08, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は多層金属配線におけるコンタクト形成時にフォトレジストをエッチングマスクとして用いた場合に生じるエッチング工程における障害、及びコンタクト抵抗の増大を解消する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 パターニングされた下層金属配線上に絶縁膜を形成する工程、この絶縁膜上に耐熱性金属層を形成する工程、この耐熱性金属層をエッチング処理により選択的に除去する工程、このエッチング処理された耐熱性金属層をエッチングマスクとして絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、このコンタクトホールを含め耐熱性金属層上に上層配線用金属層を形成する工程、及びエッチング処理により上層配線用金属層と耐熱性金属層の二重層構造からなる上層金属配線を所定のパターンに形成する工程を順に備える半導体装置の製造方法であって、耐熱性金属層をコンタクトホール形成時のエッチングマスクとして用いるため、エッチング工程における障害が解消され、また、この耐熱性金属層がそのままバリアメタルとしても働く。

Claim (excerpt)：

パターニングされた下層金属配線上に絶縁膜を形成する工程、前記絶縁膜上に耐熱性金属層を形成する工程、前記耐熱性金属層上にフォトレジストマスクを形成し、前記耐熱性金属層にエッチング処理を施し、前記耐熱性金属層を選択的に除去する工程、エッチング処理された前記耐熱性金属層をエッチングマスクとして前記絶縁膜にエッチング処理を施し、コンタクトホールを形成する工程、前記コンタクトホールを含め前記耐熱性金属層上に上層配線用金属層を形成する工程、及びエッチング処理により前記上層配線用金属層及び前記耐熱性金属層を選択的に除去し前記上層配線用金属層及び前記耐熱性金属層の二重層構造からなる上層金属配線を所定のパターンに形成する工程を順に備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-019880
  
• 特開平1-125848
  
• 特開平4-342157