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J-GLOBAL ID：200903096317541182

半導体装置

Inventor： 曽我 育生
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007261775
Publication number (International publication number)：2009094190
Application date： Oct. 05, 2007
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：

【課題】接触抵抗を低減して電流密度を増大し、高周波動作を可能とする。【解決手段】シート状炭素構造体10の所望の領域に金属領域11,12および半導体領域13を導入することができる。したがって、金属領域11,12にソース・ドレイン電極部23を、半導体領域13にゲート電極部22をそれぞれ形成することができるため、特に各電極とのコンタクト部では金属・金属接合が形成されて、低抵抗な電気伝導が得られるようになる。これにより、動作速度を高速化し、高い周波数回路への適用も可能となり、特性および信頼性が向上した半導体装置20を実現することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された、金属性を示す第1の金属領域と、金属性を示す第2の金属領域と、前記第1および前記第2の金属領域の間に挟まれた、半導体性を示す半導体領域とが、一体的に連接してなるシート状炭素構造体と、 前記第1および前記第2の金属領域上にそれぞれ形成されたソース・ドレイン電極部と、 前記半導体領域上に形成されたゲート電極部と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 618C

F-Term (23)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA03 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG20 ,  5F110GG23 ,  5F110GG29 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04