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J-GLOBAL ID：200903096319135513
薄膜形成状態検出方法および薄膜形成状態検出装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253650
Publication number (International publication number)：1996122023
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】非接触、非破壊状態で薄膜の膜厚を測定することができ、比較的広い範囲における膜厚の不均一状態の有無や欠陥の有無等の薄膜形成状態の判定を短時間で行うことができるようにする。【構成】透明薄膜の表面における干渉縞を含む反射像を撮像して記憶する(n1)。記憶した反射像において干渉縞を抽出し(n4)、基体の回転軸からm本目および(m+1)本目の干渉縞までの距離Lm および距離Lm+1 を測定し、この値から膜厚dを算出する(n7)。次いで、反射像を白黒のデータに2値化したビットパターンに変換する(n9)。このビットパターンにおいて基体の軸方向の列について、内容が反転する回数を計数し(n10)、この計数結果に基づいて膜厚の均一性の不良または欠陥による不良の有無を判断する(n14)。
Claim (excerpt)：
円筒形または円柱形の基体の周面に形成された透明薄膜の膜厚の測定および形成状態の評価を行う検出方法であって、検出対象である薄膜に光を照射してその反射像を受光し、反射像において透明薄膜の膜厚によって基体の軸方向に生じる干渉縞を抽出し、抽出した干渉縞の位置に基づいて透明薄膜の膜厚を測定し、この干渉縞の変形状態から薄膜形成状態を判定することを特徴とする薄膜形成状態検出方法。
IPC (3)：
G01B 11/06
, G01N 21/88
, G06T 7/00
