太陽電池用シリコン系薄膜評価方法および太陽電池製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：藤田考晴 , 上田邦生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004037408
Publication number (International publication number)：2005228993
Application date： Feb. 13, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：

【課題】赤外光を透過しない基板上に製膜されたシリコン系薄膜の膜質を分析する太陽電池用シリコン系薄膜評価方法を提供する。【解決手段】本発明の太陽電池用シリコン系薄膜評価方法は、赤外光を透過しないソーダガラス等の透明ガラス基板5上に製膜された太陽電池に用いられるアモルファスシリコン薄膜3に対して赤外光10を照射して、アモルファスシリコン系薄膜3で反射された反射波の吸収スペクトル17を分析することによってアモルファスシリコン薄膜3の光劣化率を推定することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

赤外光に対する透過率が小さい基板上に製膜された太陽電池用シリコン系薄膜に対して赤外光を照射して、前記シリコン系薄膜で反射された反射波のスペクトルを分析することによって前記シリコン系薄膜の膜質を評価することを特徴とする太陽電池用シリコン系薄膜評価方法。

IPC (3)：

H01L31/04 , G01N21/27 , G01N21/35

FI (3)：

H01L31/04 K , G01N21/27 C , G01N21/35 Z

F-Term (12)：

2G059AA01 , 2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059HH01 , 2G059JJ06 , 2G059KK01 , 5F051AA05 , 5F051BA17 , 5F051CA15 , 5F051KA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

膜特性評価方法・装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-066421 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (1)

減衰全反射による解析方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-250044 Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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