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J-GLOBAL ID：200903096326970541

下方注入式多段型オゾン接触槽とその制御方法

Inventor： 島崎 弘志 ,  鮫島 正一
Applicant, Patent owner： 株式会社明電舎
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995048002
Publication number (International publication number)：1996243571
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Sep. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】 処理水に対するオゾンガスの吸収効率を高め、コストの低廉化がはかれる上、経時的な吸収効率低下現象が生じない下方注入式多段型オゾン接触槽とその制御方法を提供することを目的とする。【構成】 オゾン接触槽11の内方を気相部が分離されているとともに液相部が相互に連通された越流式の第1反応室17、第2反応室18及び滞留室19に区画する一方、上記オゾン接触槽11に送り込まれる被処理水の流入管30の中途部に、この流入管30の管径を部分的に小径に絞ったオゾンガスインジェクター部22が形成されたキャピラリー散気部21を設け、該流入管の先端開口部20aをオゾン接触槽11内の前記第1反応室17の底壁に対向する近傍位置にまで導入したオゾン接触槽を基本構成とし、請求項2により、この構成に加えて第2反応室18の底壁近傍にオゾンの散気管33を配置した構造を提供する。

Claim (excerpt)：

オゾン接触槽の内方を、気相部が分離されているとともに液相部が相互に連通された越流式の第1反応室、第2反応室及び滞留室に区画する一方、上記オゾン接触槽に送り込まれる被処理水の流入管の中途部に、この流入管の管径を部分的に小径に絞ったオゾンガスインジェクター部が形成されたキャピラリー散気部を設け、該流入管の先端開口部をオゾン接触槽内の前記第1反応室の底壁に対向する近傍位置にまで導入したことを特徴とする下方注入式多段型オゾン接触槽。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• オゾン水利用の水質改善装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-418597   Applicant：柏原伸而, 斎藤弘
• 特表平5-500772
  
• 特開平4-225895
  
• 特開昭53-010390