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J-GLOBAL ID：200903096328566225

プラズマ処理方法及び装置

Inventor：
齋藤 光央

About 齋藤 光央

, 
奥村 智洋

About 奥村 智洋


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 河宮 治 ,  和田 充夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003303356
Publication number (International publication number)：2004111949
Application date： Aug. 27, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】 所望の微細線状部分を精度良く加工するプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 板状電極と隣接する位置に板状絶縁物を配置させた状態で、板状電極の周囲に配置されかつ板状絶縁物で囲まれて形成されかつ板状電極との距離が異なる少なくとも2系統のガス排気口のうち、板状電極から近い距離にあるガス排気口より不活性ガスを含む放電用ガスを被処理物の近傍に供給し、他のガス排気口より被処理物の近傍に放電制御用ガスを供給しつつ、板状電極又は被処理物に電力を供給して被処理物のプラズマ処理を行う。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
大気圧近傍の圧力において、被処理物に対向配置可能な板状電極と隣接する位置に板状絶縁物を配置させた状態で、上記板状電極の周囲に配置されかつ上記板状絶縁物で囲まれて形成されかつ上記板状電極との距離が異なる少なくとも2系統のガス排気口のうち、上記板状電極から近い距離にある上記ガス排気口より不活性ガスを含む放電用ガスを上記被処理物の近傍に供給するとともに、他の上記ガス排気口より上記被処理物の近傍に放電制御用ガスを供給しつつ、上記板状電極又は上記被処理物に電力を供給して上記被処理物のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。
IPC (5)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24
FI (5)：
H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/31 C ,  H05H1/24
F-Term (43)：
4K057DA11 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DE20 ,  4K057DG06 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC06 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045DP21 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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