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J-GLOBAL ID：200903096330879486
シリコン系化合物膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992198645
Publication number (International publication number)：1994291046
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 モノシランやジシランに比べて安全な原料物質を用いて、また、成膜すべき基体を加熱しないでシリコン系化合物膜を形成する方法を提供する。【構成】 原料物質にテトラメチルシラン又は(及び)テトラエチルシランを用い、該原料物質G1を成膜すべき基体10に吸着させ、反応性ガスG2より得たイオンビームを該基体に向け照射し、或いは該基体を反応性ガスのプラズマに曝し、或いは該基体をプラズマに曝すとともに該基体にイオンビームを照射して該基体上にシリコン系化合物膜を形成する。
Claim (excerpt)：
原料物質にテトラメチルシラン又は(及び)テトラエチルシランを用い、前記原料物質を成膜すべき基体に吸着させ、反応性ガスより得たイオンビームを前記基体に向け照射して前記基体上にシリコン系化合物膜を形成することを特徴とするシリコン系化合物膜の形成方法。
IPC (2)：
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