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J-GLOBAL ID：200903096332984880

パターン形成方法

Inventor： 佐藤 康彦 ,  塩原 英志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995327115
Publication number (International publication number)：1997167733
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】 レジストと被加工膜との間に介在させる有機膜のエッチングレートを上げることにより、有機膜のエッチング時のレジストパターンの削れ及び寸法変換差を抑える。【解決手段】 反射防止膜として機能する有機膜を用いたパターン形成方法において、パターンを形成すべきポリSi膜11上にポリサルフォンを主成分とする有機膜12を介してレジスト13を塗布した後、露光,現像処理を施してレジストパターンを形成し、次いで有機膜12に対して電子ビームを照射し、主鎖切断反応を起こしてエッチングレートを速め、次いでレジストパターンをマスクに有機膜12を選択エッチングし、しかるのちレジストパターン及び有機膜12をマスクにポリSi膜11を選択エッチングする。

Claim (excerpt)：

エネルギービームの照射により主鎖切断反応を起こす高分子化合物を主成分とする有機膜をパターンを形成すべき被加工物上に形成する工程と、前記有機膜上にレジストを形成した後、露光,現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、前記レジスト及び有機膜に対してエネルギービームを照射する工程と、前記レジストパターンをマスクに前記有機膜を選択エッチングする工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 521

FI (6)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 573

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-245249
  
• 特開昭62-066630