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J-GLOBAL ID：200903096356422786

感光性ポリイミドポリマー組成物を用いる多層導体/絶縁体共平面薄膜の形成方法及び前記方法で製造される半導体構造体

Inventor： ジョン エドワード クロニン ,  カーター ウェリング カーンタ ,  ペイ-イン ポール リー ,  ローズマリー アン プレヴィティ-ケリー ,  ジェイムズ ガードナー ライアン ,  ジュン フーン ユーン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 中島 淳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991084814
Publication number (International publication number)：1994140520
Application date： Mar. 25, 1991
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 導体パターンを有する処理半導体基板上で多層導体/絶縁体薄膜を生産するための簡単且つ低コストの方法を提供する。【構成】 絶縁層がそれぞれ下記の一般式で示される構造単位を有する溶剤可溶性感光性ポリイミドポリマー組成物を含むことによって、別のマスキング層及びイメージ転写工程を用いずに、要求される配線チャネル及びスタッドバイアスが絶縁層に直接形成されるのを可能にする。【化1】

Claim (excerpt)：

導体パターンを有する基板上へ多層導体/絶縁体共平面薄膜を形成するための方法であって、感光性ポリイミドポリマー組成物を含む第1層を前記基板へ塗布する工程と、前記第1層を紫外線照射のパターンへ露光する工程と、感光性ポリイミドポリマー組成物を含む第2層を前記第1層へ塗布する工程と、前記第2層を紫外線照射のパターンへ露光する工程と、前記第1層の開口が前記第2層に形成された開口の少なくとも一部と位置合わせされて前記基板の領域が選択的に露出されるように、前記第1及び第2層を現像する工程と、前記第2層上並びに前記第1及び第2層の前記開口内へ導電材料を付着させる工程と、導電材料と前記第2層との表面を共平面化するために、前記第2層上を被覆する前記導電材料を除去する工程と、を含む多層導体/絶縁体共平面薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/90 ,  G03F 7/038 504 ,  H01L 21/312 ,  C08G 73/10 NTF

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-102544
  
• 特開昭64-042152
  
• 特開昭59-231533