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J-GLOBAL ID：200903096363249097

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果センサ

Inventor： 山本 英文 ,  林 一彦 ,  中田 正文 ,  藤方 潤一 ,  石原 邦彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996011572
Publication number (International publication number)：1997205234
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果(MR)素子の結晶性や結晶配向性が悪いと、MR素子の抵抗変化率が小さく、MR素子の出力が低下され、かつ耐熱性や耐エレクトロンマイグレーション特性が悪くなる。【解決手段】 MR素子を構成するMR膜3の下値層2が厚みが0.1〜10(nm)でAl,Pt,Be,Cr,Fe,W,Yからなる選ばれた材料で形成され、MR膜3のX線回折測定によるロッキングカーブ半値幅が5°以下となるように構成する。MR素子の結晶性や結晶配向性が改善され、MR素子の抵抗変化率が大きくなり、MR素子の出力が増加され、かつ耐熱性や耐エレクトロンマイグレーション特性が改善される。

Claim (excerpt)：

強磁性磁気抵抗効果膜、強磁性層/非磁性層を繰り返した人工格子磁気抵抗効果膜、および反強磁性層/強磁性層/非磁性層/強磁性層からなる人工格子磁気抵抗効果膜の下地層として、その厚みが0.1〜10(nm)のAl,Pt,Be,Cr,Fe,W,Yからなる選ばれた材料で形成され、かつ前記磁気抵抗効果膜のX線回折測定によるロッキングカーブ半値幅が5°以下となる層を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R