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J-GLOBAL ID：200903096368692673
面発光型半導体発光ダイオード
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237061
Publication number (International publication number)：1995094781
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】Al量などの活性層材料の制限を受けることなく波長の短波長化が可能な面発光型半導体発光ダイオードを提供することにある。【構成】本発明は、発光層をInGaAlPとする面発光型半導体発光装置において、発光層に引っ張り歪を導入させ、波長を短波長化する。その際、価電子帯側の重い正孔と軽い正孔の相対位置ずれに伴い、発光ピークが多峰化するが、多重半導体層からなる、波長選択層により所望の発光波長を選択するようにしたものである。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板と、この化合物半導体基板上に形成され引っ張り歪の入った発光層と、この発光層に接して形成され前記発光層にキャリアを注入するクラッド層と、前記化合物半導体基板と前記発光層間に形成され前記発光層が発した光を単一の発光ピークに波長選択する手段とを具備することを特徴とする面発光型半導体発光ダイオード。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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