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J-GLOBAL ID：200903096370763006

窒化けい素薄膜の製造方法

Inventor： 吉川 博樹 ,  江島 正毅 ,  山村 和市 ,  清水 佳昌 ,  福島 慎泰 ,  小林 利美
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994242551
Publication number (International publication number)：1996107109
Application date： Oct. 06, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】反応性スパッタ法により成膜速度を速くして基板に窒化けい素薄膜を成膜する際の窒素ガス導入条件を厳密にして膜厚分布および屈折率分布の小さい窒化けい素薄膜を提供する。【構成】けい素を主成分とするターゲットを窒素ガスを含む雰囲気中でターゲット面積1cm2 あたり35Watt以上の電力でスパッタし、基板上に窒化けい素薄膜を形成させる反応性スパッタ成膜において、窒素ガスを上限値としては平均窒素導入流量(L/T)でチャンバーに導入しスパッタ放電するに当たり全ガス圧が15mTorr 以下となる全窒素導入量Lとし、下限値は式1 L≧4N+Fo T を満足する条件で導入することを特徴とする窒化けい素薄膜の製造方法、並びに前記反応性スパッタ成膜おいて、窒素ガスを上限値としてはスパッタ放電時に全ガス圧が15mTorr 以下となる全窒素導入流量Fとし、下限値は式2 F≧ 0.021AV+Fo を満足する条件で導入することを特徴とする窒化けい素薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

けい素を主成分とするターゲットを窒素ガスを含む雰囲気中でターゲット面積1cm2 あたり35Watt以上の電力でスパッタし、該ターゲットから飛散したけい素粒子と窒素を反応させて該ターゲットに対向して配置された基板上に窒化けい素薄膜を形成させる反応性スパッタ成膜において、成膜チャンバー内に窒素ガスを、上限値としては平均窒素導入流量(L/T)でチャンバーに導入しスパッタ放電するに当たり全ガス圧が15mTorr 以下となる全窒素導入量Lとし、下限値は式1L≧4N+Fo T を満足する条件で導入することを特徴とする窒化けい素薄膜の製造方法。ここに式1の符号および単位は以下の通りとする。L(cm3) :スパッタ放電中に成膜チャンバー内に導入する全窒素導入量(0°C、1atm に於ける体積)とする。Fo(SCCM):非スパッタ放電時に窒素ガスおよび不活性ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xe の内から選択される1種または2種以上の混合ガス)を成膜チャンバー内に導入したとき、該チャンバー内の全ガス圧が1mTorr 〜15mTorr であり且つチャンバー内の全ガス圧に対する窒素ガスの圧力が20%〜80%となる基本窒素導入流量( ここにSCCM=0°C、1atm に於けるcm3/min とする)と呼ぶ。N(cm3):該基板上に形成される窒化けい素薄膜に含有される窒素量を窒素ガス量に換算した値(0°C、1atm における体積)で窒素含有量と呼ぶ。T(min ):スパッタ成膜(放電)に要した時間。L/T(cm3/min ):0°C、1atm に於ける平均窒素導入流量。

IPC (4)：

H01L 21/318 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/54