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J-GLOBAL ID：200903096376060279

多層配線構造、その多層配線構造を具備した半導体装置、インダクタおよび半導体装置の製造方法

Inventor： 豊田 吉彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001227530
Publication number (International publication number)：2003045961
Application date： Jul. 27, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 低配線抵抗でかつ高歩留りで形成可能な多層配線構造を得る。【解決手段】 本発明に係る多層配線構造を、半導体基板の上面に形成された第1の層間絶縁膜4と、第1の層間絶縁膜4中に形成された第1の配線層1と、第1の層間絶縁膜1上に形成された第2の層間絶縁膜9と、第2の層間絶縁膜9中に形成された第2の配線層3と、第1の配線層1と第2の配線層3間が並列に配置された並列積層配線領域8と、並列積層配線領域8における第2の層間絶縁膜9中に、第1の配線層1と第2の配線層3を電気的に接続すべく設けられた配線形状を呈する接続孔6と、で構成した。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上面に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜中に形成された第1の配線層と、前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜中に形成された第2の配線層と、前記第1の配線層と前記第2の配線層が並列に配置された並列積層配線領域と、前記並列積層配線領域における前記第2の層間絶縁膜中に、前記第1の配線層と前記第2の配線層を電気的に接続すべく設けられた配線形状を呈する接続孔と、を備えたことを特徴とする多層配線構造。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3)：

H01L 21/90 B ,  H01L 27/04 L ,  H01L 21/88 S

F-Term (37)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV05 ,  5F033VV08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX08 ,  5F038AZ05 ,  5F038CD03 ,  5F038CD05 ,  5F038CD12 ,  5F038CD18 ,  5F038CD20 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20