半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993344836
Publication number (International publication number)：1995176548
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、硬化物の50°Cから100°Cまでの線膨張係数が2.0×10-5/°C以下、熱伝導率が3.5×10-4cal/cm・sec・°C以上である絶縁樹脂ペーストを用いて半導体素子をリードフレーム上にマウントしたことを特徴とする半導体装置。【効果】本発明の半導体装置は、その半導体素子が上記絶縁樹脂ペーストでリードフレーム上にマウントされていることにより、耐ハンダクラック性に優れ、高信頼性を有するものである。

Claim (excerpt)：

エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、硬化物の50°Cから100°Cまでの線膨張係数が2.0×10-5/°C以下、熱伝導率が3.5×10-4cal/cm・sec・°C以上である絶縁樹脂ペーストを用いて半導体素子をリードフレーム上にマウントしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/52 , C08L 63/00 NKT

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平2-168635
特許第2864415号
特開平4-132245

Show all

Return to Previous Page