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J-GLOBAL ID：200903096401632533

スパッタリングターゲット及びその製造方法

Inventor： 上田 忠雄 ,  玉井 宏
Applicant, Patent owner： 三菱化成株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993086931
Publication number (International publication number)：1994280005
Application date： Mar. 23, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 スパッタリングターゲットにより形成されるLSIの配線の品質を向上させる。【構成】 溶解炉内でアルミニウム又はアルミニウム合金から成る溶湯の表面に形成される酸化膜を、溶湯の表面にバリアとして残しつつ溶湯を直接雰囲気にさらすことなく鋳造部に供給する。これにより、周囲雰囲気からアルミニウム溶湯内に炭素及び酸素を含む不純物が侵入することを防止でき、炭素及び酸素の含有量が夫々5ppm以下のスパッタリングターゲットを製造できる。真空槽内での作業を必要とせずに、不純物の含有量が少なく、品質の高い配線の形成が可能なスパッタリングターゲットが得られる。

Claim (excerpt)：

成分中に含まれる炭素及び酸素の含有量が夫々5ppm以下であることを特徴とするアルミニウム又はアルミニウム合金から成るスパッタリングターゲット。