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J-GLOBAL ID：200903096403685308

面発光半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 小路 元 ,  大坪 孝二 ,  池田 達郎 ,  松田 学 ,  石川 浩
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992215233
Publication number (International publication number)：1994069585
Application date： Aug. 12, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】低閾値電流を達成するための面発光半導体レーザに関し、歩留、発光効率が良く、狭窄領域の制御をし易くすること。【構成】半導体基板1の上に形成された半導体多層膜よりなる第一の分布反射ミラー4と、前記第一の分布反射ミラー4の上に形成された第一のクラッド層5と、前記第一の分布反射ミラー4の上方に形成された単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造の活性層7と、前記活性層7の上方に形成される第二のクラッド層9と、前記第二のクラッド層9の上に形成され、前記活性層7及び前記第二のクラッド層9よりも禁制帯幅の大きな半導体材料よりなる電流狭窄層10と、前記電流狭窄層10に形成され、かつ、内部と周辺に前記第二のクラッド層9の一部が形成された開口部12と、前記第二のクラッド層9の上に形成された半導体多層膜又は誘電体多層膜よりなる第二の分布反射ミラー16とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)の上に形成された半導体多層膜よりなる第一の分布反射ミラー(4)と、前記第一の分布反射ミラー(4)の上に形成された第一のクラッド層(5)と、前記第一の分布反射ミラー(4)の上方に形成された単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造の活性層(7)と、前記活性層(7)の上方に形成される第二のクラッド層(9)と、前記第二のクラッド層(9)の上に形成され、前記活性層(7)及び前記第二のクラッド層(9)よりも禁制帯幅の大きな半導体材料よりなる電流狭窄層(10)と、前記電流狭窄層(10)に形成され、かつ、内部と周辺に前記第二のクラッド層(9)の一部が形成された開口部(12)と、前記第二のクラッド層(9)の上に形成された半導体多層膜又は誘電体多層膜よりなる第二の分布反射ミラー(16)とを有することを特徴とする面発光半導体レーザ。