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J-GLOBAL ID：200903096411478893

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor： 神山 栄治 ,  府瀬川 和宏 ,  富山 能省
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995121530
Publication number (International publication number)：1996064802
Application date： May. 19, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 炭化珪素に対してコンタクト抵抗の小さい電極を有するSiC半導体装置及びその製法を提供する。ゲート電極材と電極配線との反応を抑制する。【構成】 p型のSiC基板11のn型のソース領域12及びドレイン領域13上にTiN,ZrN,HfN,VN又はTaNのいずれかからなる金属窒化物製の電極16a及び16bをそれぞれ形成する。金属窒化物製の電極16a,16bが接触する領域12,13の表層部に窒素リッチ層12a,13aを形成する。この窒素リッチ層により電極のコンタクト抵抗を小さくする。Moのゲート電極15とAlの電極配線17cとの間にTiN,ZrN,HfN,VN又はTaNのいずれかからなる金属窒化物層16cを介在させ、これらの反応を抑制する。

Claim (excerpt)：

n型の炭化珪素領域(12,13)又はn型の炭化珪素基板(21)と、前記炭化珪素領域(12,13)又は炭化珪素基板(21)上に形成されたTiN,ZrN,HfN,VN又はTaNのいずれかからなる金属窒化物製の電極(16a,16b又は26a,26b)とを備えた炭化珪素半導体装置であって、前記金属窒化物製の電極(16a,16b又は26a,26b)が接触する前記炭化珪素領域(12,13)又は炭化珪素基板(21)の表層部に窒素リッチ層(12a,13a又は22a,23b)が形成されたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/43 ,  H01L 29/78 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 29/46 F ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/78 301 B