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J-GLOBAL ID：200903096411488856

半導体装置の製造方法

Inventor： 伊藤 次郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 児玉 俊英
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000003119
Publication number (International publication number)：2001196289
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 レジストパターンを形成する際に使用する現像液が下地に侵入するのを、他に不具合を生じることなく防止することができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 下地の上面にレジストのパターニングを行う半導体装置の製造方法において、反射防止膜502および合金膜501上に有機系薄膜509をCVD505にて形成し、有機系薄膜509上に感光性のレジスト512を形成し、レジスト512に所望のパターンにてなるマスク506を介して光504を照射し、水溶性の現像液515にレジスト512を浸漬させレジストパターン507を形成するものである。

Claim (excerpt)：

下地の上面にレジストのパターニングを行う半導体装置の製造方法において、下地上に有機系薄膜を化学気相反応法または物理蒸着法にて形成する工程と、上記有機系薄膜上に感光性のレジストを形成する工程と、上記レジストに所望のパターンにてなるマスクを介して光を照射する工程と、水溶性の現像液に上記レジストを浸漬させレジストパターンを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/3213

FI (10)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 C

F-Term (69)：

2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA18 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H025FA47 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096CA06 ,  2H096CA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA07 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  4M104BB02 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F004AA08 ,  5F004BA14 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA22 ,  5F004EA26 ,  5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ26 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX31 ,  5F046HA07 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18 ,  5F046PA04 ,  5F058AA05 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC08 ,  5F058AD01 ,  5F058AD08 ,  5F058AF02 ,  5F058AF04 ,  5F058AF10 ,  5F058AG04 ,  5F058AH01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 配線形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-201253   Applicant：ヤマハ株式会社
• 特開平2-246108
  
• 反射防止膜およびこれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-194034   Applicant：ソニー株式会社
• パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-125010   Applicant：ソニー株式会社
• レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-333324   Applicant：株式会社東芝
• レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-261335   Applicant：株式会社東芝
• レジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-218577   Applicant：株式会社東芝