プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992068098
Publication number (International publication number)：1993259119
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】微細で深い溝や穴を高真空中で高速エッチングできる方法及び装置を提供することを目的とする。【構成】動作圧力を1mTorr以下、ガス流量を40sccm以上とし、実効排気速度を1300 l/sec以上とし、チャンバ内における反応ガスの滞在時間を100msec以下とする。【効果】 1mTorr以下の高真空下で高いイオンの方向性を保ちながら、1000nm/min以上の高いエッチング速度を得ることができる。

Claim (excerpt)：

プラズマ放電する機構、ガス導入口、ガス排気口を有し、被処理物を真空処理室内のECRポジション以外の場所に保持する手段、ガス導入口から真空処理室内にガスを導入する手段、該ガスにより放電部にガスプラズマを発生させるために、電磁波を導入する手段、該ガスプラズマ及びこれより発生するガスをガス排気口を通して真空処理室から、実効排気速度500 l/sec以上で排気する手段を有する、被処理物を処理するプラズマ処理装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平1-268029
特開昭63-035294
特開平2-052428

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