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J-GLOBAL ID：200903096423935092

絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 井上 俊輔 ,  片岡 有三
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995312344
Publication number (International publication number)：1996255907
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 LDDトランジスタの微量ドープ領域を正確に制御する。【構成】 チャネル領域上に設けられた、ゲート電極43及びドレイン電極41とドレイン領域のライトドープ領域となる半導体領域6とが自己整合している。ライトドープ領域以外のドレイン領域7を形成するための不純物導入口が開口された絶縁膜を半導体基体1上に形成した後、不純物を含むゲート電極43とドレイン電極41とを形成し、ゲート電極43とドレイン電極41との間から半導体基体に不純物を導入してライトドープ領域6を形成する工程と、熱処理により前記不純物導入口を介して前記ドレイン電極41から不純物を導入してドレイン領域7を形成する工程と、を有する。

Claim (excerpt)：

第1導電型のチャネル領域と、第2導電型の第1半導体領域と該第1半導体領域に接し該第1半導体領域よりも不純物濃度の低い第2導電型の第2半導体領域とを含むドレイン領域と、を有する絶縁ゲート型トランジスタにおいて、前記チャネル領域上に設けられたゲート電極及びドレイン電極と前記第2の半導体領域とが自己整合していることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-094666
  
• 特開昭55-091130
  
• 特開昭57-196578