半導体ダイヤフラム構造および半導体ダイヤフラム製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994274476
Publication number (International publication number)：1996116069
Application date： Oct. 12, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】小型化が可能なダイヤフラム構造を提供すること。【構成】ダイヤフラムやカンチレバー等のダイヤフラム構造を形成する側の半導体基板の表面(表側)から、必要に応じた深さに形成されたパターン層11が半導体基板の裏側からの開口により露出され、そのパターン層11をマスクとして、加工精度のある異方性エッチングでダイヤフラム17,18 が形成される。ダイヤフラム17,18 は周辺の回路等から電気的に分離する構成とすることもでき、あるいは、単結晶部分を成長させる側から形成することもできる。従来付随していたダイヤフラム周辺のテーパ部分を縮小してダイヤフラムが形成できるので、ダイヤフラム構造を集積化させることができる利点があり、ダイヤフラムの大きさ、および半導体基板の厚さによっては従来より50%以上縮小した範囲で形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体の一部にダイヤフラム構造を備えてなる半導体装置において、前記半導体装置の内部で、前記ダイヤフラム構造の周囲のテーパ形状の端部に、該ダイヤフラムを形成する際にマスクとしたパターン層が形成されており、該ダイヤフラムは前記パターン層をマスクとして異方性エッチングで形成されたものであることを特徴とする半導体ダイヤフラム構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平2-237166
特開昭61-154180
特開昭60-055672

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Cited by examiner (4)

特開平2-237166
特開昭61-154180
特開昭60-055672

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