電磁界シミュレーション方法、電磁界シミュレーションプログラム、および当該プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三好秀和 , 三好保男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002223139
Publication number (International publication number)：2004062747
Application date： Jul. 31, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】誘電率が不連続に変化する二つの媒質からなる二次元平面において、高精度なTMモードの電磁界シミュレーションを可能にする電磁界シミュレーション方法、電磁界シミュレーションプログラム、および当該プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体を提供する。【解決手段】平面内に誘電率の異なる二つの媒質が一つの直線を境界として接し、TMモードからなる電磁界が存在する場合に、その平面と等価な仮想平面として、互いに割り当てられる電磁界が異なる3種類の格子点をそれぞれ等間隔に配置して離散化された平面を構成し、このうち電界成分が割り当てられる格子点のうちの境界近傍に位置する格子点に対して所定の関係式を満たす誘電率をそれぞれ付与し、離散化された時間の変化に応じた電磁界の変化を計算する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一つの平面内に誘電率ε1 、ε2 をそれぞれ有する二つの媒質が一つの直線を境界として接し、前記平面内に、当該平面に平行な磁界成分の値がゼロである電磁界が存在するときに、前記平面と等価な仮想平面として、互いに割り当てられる電磁界が異なる第1種、第2種、および第3種の格子点を前記境界に平行な方向および垂直な方向にそれぞれ等間隔に配置して離散化された仮想平面を構成し、前記第1種格子点に当該第1種格子点における前記仮想平面と垂直な磁界成分を割り当て、前記第2種格子点に当該第2種格子点における前記境界と平行な方向の電界成分およびこの電界成分の計算に用いる誘電率を割り当て、前記第3種格子点に当該第3種格子点における前記境界と垂直な方向の電界成分およびこの電界成分の計算に用いる誘電率を割り当て、前記仮想平面における電磁界の時間変化を、コンピュータを用いた数値計算によって求める電磁界シミュレーション方法であって、前記境界から当該境界までの距離が最も近い最近接第3種格子点までの距離が、前記境界に垂直な方向の各種格子点間距離と、前記最近接第3種格子点が誘電率ε1 の領域に属する場合を正とする一方で誘電率ε2 の領域に属する場合を負とする絶対値1/2以下の定数δの絶対値との積によって表されるとき、前記最近接第3種格子点の誘電率をεn3 とし、前記最近接第3種格子点以外の第3種格子点で前記平面の誘電率ε1 の領域に属する第3種格子点のうち、前記最近接第3種格子点に最も近い第3種格子点の誘電率をεn2 とするとともに、前記最近接第3種格子点に2番目に近い第3種格子点の誘電率をεn1 とする一方で、前記最近接第3種格子点以外の第3種格子点で前記平面の誘電率ε2 の領域に属する第3種格子点のうち、前記最近接第3種格子点に最も近い第3種格子点の誘電率をεn4 とするとともに、前記最近接第3種格子点に2番目に近い第3種格子点の誘電率をεn5 とし、前記第2種格子点のうち、前記誘電率εn1 を有する第3種格子点同士を結ぶ直線と前記誘電率εn2 を有する第3種格子点同士を結ぶ直線との間に配置される第2種格子点の誘電率をεp1 、前記誘電率εn2 を有する第3種格子点同士を結ぶ直線と前記誘電率εn3 を有する第3種格子点同士を結ぶ直線との間に配置される第2種格子点の誘電率をεp2 、前記誘電率εn3 を有する第3種格子点同士を結ぶ直線と前記誘電率εn4 を有する第3種格子点同士を結ぶ直線との間に配置される第2種格子点の誘電率をεp3 、前記誘電率εn4 を有する第3種格子点同士を結ぶ直線と前記誘電率εn5 を有する第3種格子点同士を結ぶ直線との間に配置される第2種格子点の誘電率をεp4 とした場合、前記コンピュータが、各誘電率εn1 、εn2 、εn3 、εn4 、εn5 、εp1 、εp2 、εp3 、εp4 に対して関係式

IPC (3)：

G06F17/50 , G01R29/08 , G06F17/13

FI (3)：

G06F17/50 612H , G01R29/08 Z , G06F17/13

F-Term (6)：

5B046JA10 , 5B056BB03 , 5B056BB22 , 5B056BB36 , 5B056BB42 , 5B056HH07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

2次元電磁界シミュレーション方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-053490 Applicant：日本電信電話株式会社
二次元電磁界シミュレーション方法、そのプログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-054999 Applicant：日本電信電話株式会社
二次元電磁界シミュレーション方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-184971 Applicant：日本電信電話株式会社

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