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J-GLOBAL ID:200903096434454436

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992011946
Publication number (International publication number):1993206489
Application date: Jan. 27, 1992
Publication date: Aug. 13, 1993
Summary:
【要約】【目的】 視覚情報処理において有効な情報処理機能を内蔵した光センサを提供する。【構成】 導電性電極の表面に厚みが実質的に均一な絶縁性の薄膜を介して光異性化反応を行うことのできる感光性色素の層が被覆され、該色素層にイオン伝導性電解質が接合して構成される光電変換要素を含むことを特徴とする光電変換素子。【効果】 本発明の光電変換素子は、光の強度に対して微分的に電気応答する特徴を有し、視覚情報処理能力を持つイメージセンサを構成する受光ピクセルとして有効に利用することができるものである。
Claim (excerpt):
導電性電極の表面に厚みが実質的に均一な絶縁性の薄膜を介して光異性化反応を行うことのできる感光性色素の層が被覆され、該色素層にイオン伝導性電解質が接合して構成される光電変換要素を含むことを特徴とする光電変換素子。

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