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J-GLOBAL ID：200903096434935272

重合性化合物、高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤

, 
原田 裕次

About 原田 裕次

, 
河合 義夫

About 河合 義夫


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004215901
Publication number (International publication number)：2005133065
Application date： Jul. 23, 2004
Publication date： May. 26, 2005
Summary：
【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位、下記一般式(2a)で示される繰り返し単位、下記一般式(3b)で示される繰り返し単位のいずれか一以上と、下記一般式(1c)で示される繰り返し単位とを有する高分子化合物、およびこれをベース樹脂として配合したポジ型レジスト材料。 【化50】【選択図】なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される重合性化合物。
IPC (6)：
C08F216/14 ,  C07C69/54 ,  C08F220/10 ,  C08F220/22 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (6)：
C08F216/14 ,  C07C69/54 B ,  C08F220/10 ,  C08F220/22 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (46)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006BJ30 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BN20 ,  4H006KC14 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL09P ,  4J100AL31P ,  4J100AL31Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB18P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC53P ,  4J100BC83P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (5)
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