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J-GLOBAL ID：200903096439279012

半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法

Inventor： 吉川 博志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996256968
Publication number (International publication number)：1997306839
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 1台のパルスレーザによって半導体を溶融させ、その後の結晶化時の凝固速度を遅くすることができ、薄膜トランジスタ用半導体膜の結晶化工程に用いて好適な半導体の溶融結晶化方法を提供するとともに、半導体の結晶性を損なうことなく、トランジスタ特性の悪化を回避できる半導体の不純物活性化方法を提供する。【解決手段】 1台のパルスレーザによる半導体の溶融結晶化方法において、パルス半値幅Δtを制御することによって、パルスの立ち上がり、または立ち下がりの傾きm1,m2を時間的に制御する。また、半導体の温度が高くなりすぎないように1パルスのパルス強度を制御する。同様に、パルスレーザを用いる不純物活性化方法において、パルス半値幅Δt並びにパルス強度を制御する。

Claim (excerpt)：

パルスレーザによる半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法において、パルスの立ち下がり、または立ち上がりの傾きもしくは形状を時間的に制御することを特徴とする半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 G