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J-GLOBAL ID：200903096455160904

半導体鏡面ウェハおよびその製造方法

Inventor： 山 本 博 昭 ,  石 井 明 洋 ,  井 村 好 一
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997298043
Publication number (International publication number)：1999135474
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 裏面が略鏡面でしかも表裏面を識別できる半導体鏡面ウェハであって、パーティクルの残存や金属汚染が防止された半導体鏡面ウェハ、およびその半導体鏡面ウェハを生産性よく製造できる製造方法を提供する。【解決手段】 半導体インゴットを切断してウェハを得る。スライスされたウェハの外周部を面取りする。面取りされたウェハの表裏面をラッピングにより平坦化する。ラッピングされたウェハの表裏面をそれぞれスピンエッチングする。このスピンエッチングにより得られる裏面の光沢度を130〜300%とする。表裏面をスピンエッチングされたウェハのおもて面を研磨して鏡面を得る。

Claim (excerpt)：

おもて面が鏡面であって、裏面の光沢度が酸エッチにより130〜300%に調整された面であることを特徴とする半導体鏡面ウェハ。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321

FI (4)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/306 M