Pat

J-GLOBAL ID：200903096473582743

半導体装置

Inventor： 工藤 興一 ,  門西 裕 ,  樋口 泰之
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992136704
Publication number (International publication number)：1993335598
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 順方向バイアスに対しては立上り電圧を殆ど0Vにでき、逆方向バイアスに対してはリークの少ない逆耐圧特性を有するダイオードを提供する。【構成】 半導体基板にMOSトランジスタの構造を形成し、ゲート電極6をソース電極7またはドレイン電極8と接続し、半導体基板1を独立の基板電極10としてゲート電極6に印加された電圧に応じてチャネル領域4を導通、非導通にし、ソース電極7、ドレイン電極8間にダイオード作用をさせる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体層に第2導電型のソース領域とドレイン領域がチャネル領域を介して形成され、該チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極がソース電極またはドレイン電極の一方と接続されてダイオードの一端子とされ、他のソース電極またはドレイン電極がダイオードの他方の端子とされると共に、前記第1導電型の半導体層は前記ソース領域およびドレイン領域から独立した電位とされうる構造のMOS型ダイオードを有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/86 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭63-205946
  
• 特開昭58-136376
  

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-178610
  
• 特開昭63-205946
  
• 特開平3-136376
  
• 特開昭58-136376