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J-GLOBAL ID：200903096479508286
不揮発性半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994073452
Publication number (International publication number)：1995281952
Application date： Apr. 12, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【構成】 複数のメモリブロックに分けた電気的一括消去電気的書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、消去と書き込みと読み出しのうち2機能以上を同時に、別々のメモリブロックにおいて実行できるように、命令解析及びステータスデータ生成部6と前記メモリブロック10a〜10hを接続するバス9、12に、前記メモリブロックの動作状態を保持するラッチ回路11a〜11hを挿入した。【効果】 製造側では、メモリICの良品/不良品を判別するテスト時間の短縮が可能である。ユーザ側では、大容量メモリICを使う場合、実装チップ数が少くても、ライト、イレース、リードの同時動作可能なシステムを容易に作ることができる。また、同時動作可能ならシステム全体のスピード(スループット)が向上する。
Claim (excerpt)：
複数のメモリブロックに分けた電気的一括消去電気的書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、消去と書き込みと読み出しのうち2機能以上を同時に、別々のメモリブロックにおいて実行する消去書き込み読み出し制御部を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2)：
G06F 12/06 525
, G11C 16/06
