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J-GLOBAL ID：200903096491911169

レチクルマスクの作成方法

Inventor： 張 逸鎭 ,  金 棟天
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997145458
Publication number (International publication number)：1998069059
Application date： Jun. 03, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 アライメントミスによる不良発生の心配がないレチクルマスクの作成方法を提供する。【解決手段】 四辺形の回路パターン領域及びスクライブライン領域を配置したレチクルパターンをもつ原形レチクルマスクを縮小元として縮小パターンレチクルマスクを作成するレチクルマスクの作成方法において、四辺形の回路パターン領域14の2辺にスクライブライン領域16a,bを設けると共に少なくとも残りの1辺にダミースクライブライン領域16c,dを設けたレチクルパターン27をもつ原形レチクルマスクを縮小元にし、前記2辺のスクライブライン領域16a,bのいずれかと前記ダミースクライブライン領域16c,dとを合わせるようにして縮小パターンレチクルマスクの複数の回路パターン領域を作成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

四辺形の回路パターン領域及びスクライブライン領域を配置したレチクルパターンをもつ原形レチクルマスクを縮小元として縮小パターンレチクルマスクを作成するレチクルマスクの作成方法において、四辺形の回路パターン領域の2辺にスクライブライン領域を設けると共に少なくとも残りの1辺にダミースクライブライン領域を設けたレチクルパターンをもつ原形レチクルマスクを縮小元にし、前記2辺のスクライブライン領域のいずれかと前記ダミースクライブライン領域とを合わせるようにして縮小パターンレチクルマスクの複数の回路パターン領域を作成するようにしたことを特徴とするレチクルマスクの作成方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-135837
  
• 特開昭55-135837