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J-GLOBAL ID：200903096506928462

フォトダイオード

Inventor： 徳田 勝彦
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 石井 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991124833
Publication number (International publication number)：1993183181
Application date： Apr. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 波長多重された光信号を1つのチップで受信することができるフォトダイオードを提供する。【構成】 基板1の上に、半絶縁性の中間層6を挟んでバンド幅の大きい光吸収層4とバンド幅の小さい光吸収層8が設けられ、その一部にそれぞれ不純物拡散領域12,13が形成されている。短い波長の光は、光吸収層8で吸収され、長い波長の光は、光吸収層8を通過して光吸収層4で吸収される。したがって、1つのチップで異なる波長の光を独立の光吸収層で受光することができる。

Claim (excerpt)：

バッファ層または中間層を挟むバッファ層の上下にバンド幅の異なる光吸収層を有し、該光吸収層の一部にそれぞれ不純物拡散領域を形成するとともに、バンド幅の大きい光吸収層のある側から光が入射されるように構成したことを特徴とするフォトダイオード。