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J-GLOBAL ID：200903096510039591

圧電体薄膜素子およびその製造方法

Inventor： 田村 博明 ,  長谷川 和正
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999007677
Publication number (International publication number)：2000208828
Application date： Jan. 14, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】ゾルゲル法によって圧電体薄膜を基板上に作製する場合、薄膜に働く内部応力によって、所望の結晶配向性を得ることが困難であった。【解決手段】圧電体薄膜に膜厚方向に組成傾斜した領域を設ける。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に下電極を配置し、前記下電極上に圧電体薄膜を配置し、前記圧電体薄膜上に上電極を配置した圧電体薄膜素子において、前記圧電体薄膜が膜厚方向の組成分布を有することを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (5)：

H01L 41/24 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/17

FI (5)：

H01L 41/22 A ,  H03H 3/02 B ,  H03H 9/17 A ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z

F-Term (6)：

5J108BB04 ,  5J108CC01 ,  5J108FF03 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02 ,  5J108MM11