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J-GLOBAL ID:200903096518445998

液晶表示素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997057668
Publication number (International publication number):1998253976
Application date: Mar. 12, 1997
Publication date: Sep. 25, 1998
Summary:
【要約】【課題】 液晶表示素子の動作および機能を劣化させることなく、低抵抗のAlまたはAl合金、もしくはCuまたはCu合金からなる電極配線の使用を可能にし、電極配線幅の微細化による開口率の向上が達成された、液晶表示素子を提供することを目的とする。【解決手段】 電極配線は、AlまたはAl合金、もしくはCuまたはCu合金からなる電極本体と、この電極本体がゲート絶縁層、シリコン活性層および画素電極と接触する面を覆う、TiN、MoTa、MoWから選ばれた少なくとも1種の材料からなる被膜とから形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
Claim (excerpt):
ガラス基板;前記ガラス基板上に形成されたゲート電極と、このゲート電極上に順次形成されたゲート絶縁層、シリコン活性層および高濃度シリコン活性層と、この高濃度シリコン活性層に互いに電気的に分離して設けられたソース電極、ドレイン電極とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタ;および前記ガラス基板上に配置され、前記ドレイン電極と接続されたITO膜からなる画素電極;を具備し、前記ゲート電極は、AlまたはAl合金からなる電極本体と、この電極本体の前記ゲート絶縁層と接触する面のうち、少くとも前記電極本体と前記シリコン活性層のチャネル部との間に位置する接触面を覆う、TiN、MoTa、MoWから選ばれた少なくとも1種の材料からなる被膜とから形成され、前記ソース電極は、AlまたはAl合金からなる電極本体と、この電極本体の少なくとも前記高濃度シリコン活性層との接触面を覆う、TiN、MoTa、MoWから選ばれた少なくとも1種の材料からなる被膜とから形成され、前記ドレイン電極は、AlまたはAl合金からなる電極本体と、この電極本体の少なくとも前記高濃度シリコン活性層との接触面および前記画素電極との接触面を覆う、TiN、MoTa、MoWから選ばれた少なくとも1種の材料からなる被膜とから形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
IPC (5):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 348 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 348 Z ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 617 U
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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