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J-GLOBAL ID：200903096520601352

ネガティブフォトレジスト材料、及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： 前田 勝美 ,  岩佐 繁之 ,  長谷川 悦雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 渡辺 勝 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998328491
Publication number (International publication number)：2000147769
Application date： Nov. 18, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】220nm以下の光を用いたリソグラフィー用のフォトレジスト材料において露光光に対して透明性に優れ、かつエッチング耐性、基板密着性に優れたネガティブフォトレジスト材料、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(1)で示される重合体、及び露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とする。【化1】(上式において、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子またはメチル基、R<SP>4</SP>はエポキシ基を有する炭素数3〜13の炭化水素基、R<SP>6</SP>は水素原子またはカルボキシル基を有する炭素数7〜13の有橋環式炭化水素基を表す。またx、y、zはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0<z<1を満たす任意の数である。また重合体の重量平均分子量は2000〜200000)

Claim (excerpt)：

一般式(1)で示される重合体、及び露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とするネガティブフォトレジスト材料。【化1】(上式において、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子またはメチル基、R<SP>4</SP>はエポキシ基を有する炭素数3〜13の炭化水素基、R<SP>6</SP>は水素原子またはカルボキシル基を有する炭素数7〜13の有橋環式炭化水素基を表す。またx、y、zはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0<z<1を満たす任意の数である。また重合体の重量平均分子量は2000〜200000)

IPC (4)：

G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (20)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BD23 ,  2H025BE10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB55 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08