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J-GLOBAL ID：200903096523193549
ダイナミック型半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
桑井 清一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992100487
Publication number (International publication number)：1993274863
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明はDMAコントローラによるメモリ-メモリ転送を高速に実行させることを目的とする。【構成】 従来のダイナミック型半導体記憶装置の構成に加え、DMAE(*)端子と、アドレス切り替え回路106と、DMAロウ・デコーダ108によって構成されている。DMAE(*)信号により列アドレスは第2行アドレスと解釈され、行アドレスで選択され共通のデジット線上に読み出されたデータビットは第2行アドレスで選択された他の行に同一のメモリ・サイクルで転送できる。したがって1回のメモリ・アクセスで大量のデータを転送できる。
Claim (excerpt)：
行列状に配置されたメモリセルアレイと、行アドレス信号に基づきメモリセルアレイの行を選択する行デコーダと、列アドレスに基づきメモリセルの列を選択する列デコーダとを備えたダイナミック型半導体記憶装置において、上記行デコーダと並列に設けられたダイレクトメモリアクセス行デコーダと、通常モードとダイレクトメモリアクセスモードとのいずれかを表す制御信号に応答して通常モード時には上記列アドレス信号を列デコーダに供給しダイレクトメモリアクセスモード時には上記列アドレスを上記ダイレクトメモリアクセス行デコーダに第2行アドレス信号として供給して行デコーダで選択された行のデータをダイレクトメモリアクセス行デコーダで選択された他の行に書き込ませるアドレス切り替え回路とを備えたことを特徴とするダイナミック型半導体記憶装置。
IPC (3)：
G11C 11/401
, G06F 13/28 310
, H01L 27/10 481
