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J-GLOBAL ID：200903096527946045
半導体レーザー
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993167767
Publication number (International publication number)：1995030183
Application date： Jul. 07, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 進行波増幅領域を有するレーザーダイオードと、このレーザーダイオードの後方端面から出射した光を回折させてレーザーダイオードに戻すグレーティング素子とからなる外部共振器型半導体レーザーにおいて、出射光の周波数幅を十分に狭くし、かつ安定させる。【構成】 レーザーダイオード10の後方端面10aから出射してグレーティング素子13で回折したレーザービーム11aを半球15において共振させ、この共振により周波数が狭さく化されたレーザービーム11aを、グレーティング素子13で回折させてレーザーダイオード10にフィードバックする。
Claim (excerpt)：
進行波増幅領域を有するレーザーダイオードと、このレーザーダイオードの後方端面から出射した光を回折させて前記レーザーダイオードに戻すグレーティング素子とからなる外部共振器型半導体レーザーにおいて、前記レーザーダイオードの後方端面から出射して前記グレーティング素子で回折した光の周波数を狭さく化する周波数弁別器、および、この周波数が狭さく化された光を、前記グレーティング素子で回折して前記後方端面からレーザーダイオードに戻る向きにして該グレーティング素子に導く手段が設けられたことを特徴とする半導体レーザー。
IPC (2)：
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