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J-GLOBAL ID：200903096531307324

基準回路

Inventor：
マイケル、チャールズ、ハミック

About マイケル、チャールズ、ハミック


Applicant, Patent owner：
エスジーエス-トムソン、マイクロエレクトロニクス、リミテッド

About エスジーエス-トムソン、マイクロエレクトロニクス、リミテッド


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995297040
Publication number (International publication number)：1996235884
Application date： Nov. 15, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：
【要約】【課題】 積分ゲートトランジスタによって形成されたメモリセルを有する記憶装置に適した基準回路を提供する。【解決手段】 基準回路は、制御電圧に応答して基準電流を生成するための基準セルと、基準電流を受けるように接続された第1の分岐と、整合された電流を生成する第2の分岐とを有する第1の電流ミラー回路と、整合された電流を受け取り、整合された電流から生じる基準レベルを供給するように接続された出力装置と、第1の整合された電流から生じた基準レベルを第1の全基準レベルから第2の低下した基準レベルに選択的に低下させるように接続された分割回路とを有する。
Claim (excerpt)：
制御電圧に応答して基準電流を発生するための少なくとも1つの基準セルと、第1の分岐で前記基準電流を受けて、第2の分岐で第1の整合電流を発生するように接続された第1の電流ミラー回路と、前記第1の整合電流を受けて、前記第1の整合電流によって生じる基準レベルを供給するように接続された出力装置と、前記第1の整合電流から生じた基準レベルを、第1の全基準レベルから第2の低下基準レベルに選択的に低下させるための分割回路とを備えることを特徴とする基準回路。
IPC (3)：
G11C 16/06 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78
FI (3)：
G11C 17/00 520 C ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平1-165095
  • 特開平3-059887
  • 不揮発性半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-192987   Applicant：富士通株式会社
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